1060nm Ase širokopásmový světelný zdroj Výrobci

1550nm 8dBm SM SOA polovodičový optický zesilovač je polovodičový optický zesilovač s vysokým ziskem signálu, navržený pro použití v obecných aplikacích ke zvýšení optického spouštěcího výkonu pro kompenzaci ztráty jiných optických zařízení. Polovodičový optický zesilovač SM SOA 1550nm 8dBm lze objednat s optickým vstupem/výstupem v jednom režimu (SM) nebo se zachováním polarizace (PM). Tato modulová verze je ideálním stavebním kamenem pro systémové integrátory, zejména v optických komunikačních sítích a CATV aplikacích.

500um velkoplošný lavinový fotodiodový čip InGaAs je speciálně navržen tak, aby měl nízkou tmu, nízkou kapacitu a vysoký lavinový zisk. Pomocí tohoto čipu lze dosáhnout optického přijímače s vysokou citlivostí.

975nm 976nm 130W Fiber Coupled Diode Laser je laserová dioda se stabilizovanou vlnovou délkou, může stabilizovat a tvarovat emisní spektrum vysoce výkonných laserových diod pro četné aplikace včetně čerpání laseru v pevné fázi, čerpání vláknového laseru, Ramanovy spektroskopie s vysokým rozlišením a dalších aplikací vyžadujících vysoce výkonný teplotně stabilizovaný laserový zdroj s úzkou šířkou čáry.

Vysoce výkonné optické zesilovače C-band 5W 37dBm EDFA Fiber Optical Amplifiers (EYDFA-HP) jsou založeny na technologii dvojitě opláštěného erbiem dopovaného vláknového zesilovače využívajícího unikátní proces optického balení, spojený se spolehlivým designem ochrany vysoce výkonného laseru. dosáhnout vysoce výkonného laserového výstupu v rozsahu vlnových délek 1540~1565nm. S vysokým výkonem a nízkým šumem může být použit v optické komunikaci, Lidar atd.

Koaxiální Pigtail PIN fotodioda 1100nm-1650nm využívá malé koaxiální pouzdro a detekční čip InGaAs. Vyznačuje se velmi nízkou spotřebou energie, malým temným proudem, nízkou zpětnou ztrátou, dobrou flexibilitou, velkou linearitou, kompaktním designem, malým objemem, vysokou spolehlivostí a dlouhou životností. Tato produktová řada se nejčastěji používá v přijímačích CATV, v přijímačích optických signálů v analogových systémech a výkonových detektorech.

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip je speciálně navržen tak, aby měl nízkou tmu, nízkou kapacitu a vysoký lavinový zisk. Pomocí tohoto čipu lze dosáhnout optického přijímače s vysokou citlivostí.