Jedná se o zabalený čip s integrovanými obvody složenými z desítek či desítek miliard tranzistorů uvnitř. Když přiblížíme pod mikroskopem, vidíme, že interiér je složitý jako město. Integrovaný obvod je druh miniaturního elektronického zařízení nebo součástky. Společně s elektroinstalací a propojením, vyrobené na malém nebo několika malých polovodičových destičkách nebo dielektrických substrátech za účelem vytvoření strukturálně těsně propojených a vnitřně souvisejících elektronických obvodů. Vezměme si nejzákladnější obvod děliče napětí jako příklad, abychom ilustrovali, že je to Jak realizovat a vytvořit efekt uvnitř čipu.
Integrované obvody mohou být malé díky polovodičové technologii. Čistý křemík je polovodič, což znamená, že schopnost vést elektřinu je horší než u izolantů, ale není tak dobrá jako u kovů. Takže malý počet mobilních poplatků je to, co dělá křemík polovodičem. Ale tajná zbraň je pro čipový doping nepostradatelná. Existují dva typy dopingu pro křemík, typ P a typ N. Křemík typu N vede elektřinu elektrony (elektrony jsou záporně nabité) a křemík typu P vede elektřinu otvory (velký počet kladně nabitých děr). Jak vypadá spínač v obvodu děliče napětí v čipu a jak funguje?
Spínací funkcí v integrovaném obvodu je tělo tranzistoru, což je druh elektronického spínače. Běžná elektronka MOS je elektronka MOS a elektronka MOS je vyrobena z polovodičů typu N a P na křemíkovém substrátu typu P. Jsou vyrobeny dvě oblasti křemíku typu N. Tyto dvě křemíkové oblasti typu N jsou zdrojová elektroda a odvodňovací elektroda MOS trubice. Potom se vytvoří vrstva oxidu křemičitého nad střední oblastí zdroje a odtoku a poté se oxid křemičitý pokryje. Vrstva vodiče, tato vrstva vodiče je pól GATE MOS trubice. Materiál typu P má velký počet děr a jen málo elektronů a díry jsou kladně nabité, takže kladně nabité díry v této části oblasti jsou dominantní a je zde malý počet záporně nabitých elektronů, a oblast typu N je záporně nabitá. Elektronika dominuje.
Použijme přirovnání k faucetu. Nejvíce vpravo je Zdroj. Říkáme tomu zdroj, což je místo, odkud voda vytéká. Brána uprostřed je brána, která je ekvivalentní vodnímu ventilu. Odtok vlevo je místem, kde voda uniká. Stejně jako proud vody proudí elektrony také ze zdroje do odpadu. Pak je uprostřed překážka, kterou je P materiál. Materiál P má velké množství kladně nabitých děr a elektrony se s dírami setkávají. Je to neutralizované a nemůže to projít. tak co bychom měli dělat? Můžeme přidat kladný náboj do mřížky, abychom přitáhli záporně nabité elektrony v materiálu typu P. Ačkoli v materiálu typu P není mnoho elektronů, přidání kladného náboje do mřížky může stále přitahovat některé elektrony a vytvořit kanál. Elektron projde. Shrnutí je, že zdrojem je zdroj elektronů, které nepřetržitě poskytují elektrony proudit do odpadu, ale zda mohou procházet mřížkou. Mřížka je jako ventil, spínač, který ovládá otevírání a zavírání MOS trubice. To je princip MOS elektronky jako elektronického spínače.
Nyní, když je znám elektronický spínač, podívejme se na realizaci odporu. Nejprve vytvořte oblast typu N na křemíkovém substrátu typu P a poté použijte kov k vyvedení dvou konců oblasti typu N, takže N1 a N2 jsou dva odpory. To je konec, takže integrovaný obvod obvodu děliče napětí má použít kov pro spojení MOS elektronky a odporu, o kterém jsme právě mluvili na křemíkovém čipu podle zapojení obvodu.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
