1mm InGaAs/InP PIN fotodiodový čip nabízí vynikající odezvu od 900nm do 1700nm, 1mm InGaAs/InP PIN fotodiodový čip je ideální pro širokopásmové aplikace optických sítí 1310nm a 1550nm. Řada zařízení nabízí vysokou odezvu, nízký temný proud a velkou šířku pásma pro vysoký výkon a design přijímače s nízkou citlivostí. Toto zařízení je ideální pro výrobce optických přijímačů, transpondérů, optických přenosových modulů a kombinace PIN fotodiody – transimpedančního zesilovače.
1mm InGaAs/InP PIN fotodiodový čip nabízí vynikající odezvu od 900nm do 1700nm, 1mm InGaAs/InP PIN fotodiodový čip je ideální pro širokopásmové aplikace optických sítí 1310nm a 1550nm. Řada zařízení nabízí vysokou odezvu, nízký temný proud a velkou šířku pásma pro vysoký výkon a design přijímače s nízkou citlivostí. Toto zařízení je ideální pro výrobce optických přijímačů, transpondérů, optických přenosových modulů a kombinace PIN fotodiody – transimpedančního zesilovače.
1mm InGaAs/InP PIN fotodiodový čip nabízí vynikající odezvu od 900nm do 1700nm, 1mm InGaAs/InP PIN fotodiodový čip je ideální pro širokopásmové aplikace optických sítí 1310nm a 1550nm. Řada zařízení nabízí vysokou odezvu, nízký temný proud a velkou šířku pásma pro vysoký výkon a design přijímače s nízkou citlivostí. Toto zařízení je ideální pro výrobce optických přijímačů, transpondérů, optických přenosových modulů a kombinace PIN fotodiody – transimpedančního zesilovače.
Detekční rozsah 900nm-1650nm;
Vysoká rychlost;
Vysoká odezva;
Nízká kapacita;
Nízký temný proud;
Horní osvětlená rovinná struktura.
Monitorování;
Nástroje pro optická vlákna;
Datová komunikace.
| Parametr | Symbol | Hodnota | Jednotka |
| Reverzní napětí | VRmax | 20 | V |
| Provozní teplota | Topr | -40 až +85 | ℃ |
| Skladovací teplota | Tstg | -55 až +125 | ℃ |
| Parametr | Symbol | Stav | Min. | Typ. | Max. | Jednotka |
| Rozsah vlnových délek | λ | 900 | - | 1650 | nm | |
| Odpovědnost | R | λ = 1310 nm | 0.85 | 0.90 | - | A/W |
| λ = 1550 nm | - | 0.95 | - | |||
| λ = 850 nm | - | 0.20 | - | |||
| Temný proud | ID | Vr=5V | - | 1.5 | 10.0 | nA |
| Kapacita | C | VR=5V, f=1MHz | - | 50 | 80 | pF |
| Šířka pásma (3dB dolů) | Bw | V=0V, RL=50Ω | - | 40 | - | MHz |
| Parametr | Symbol | Hodnota | Jednotka |
| Průměr aktivní plochy | D | 1000±10 | um |
| Průměr lepící podložky | - | 120±3 | um |
| Velikost matrice | - | 1250x1250 (±30) | um |
| Tloušťka matrice | t | 180±20 | um |
Všechny produkty byly před odesláním testovány;
Na všechny produkty je poskytována záruka 1-3 roky. (Po uplynutí záruční doby za kvalitu se začal účtovat příslušný servisní poplatek.)
Vážíme si vašeho podnikání a nabízíme možnost okamžitého vrácení zboží do 7 dnů. (7 dní po obdržení položek);
Pokud položky, které zakoupíte v našem obchodě, nemají dokonalou kvalitu, to znamená, že nefungují elektronicky podle specifikací výrobce, jednoduše nám je vraťte k výměně nebo vrácení peněz;
Pokud jsou položky vadné, informujte nás prosím do 3 dnů od doručení;
Jakékoli položky musí být vráceny v původním stavu, aby měly nárok na vrácení peněz nebo výměnu;
Kupující je odpovědný za všechny vzniklé přepravní náklady.
A: máme 0,3 mm 0,5 mm 1 mm 2 mm aktivní oblast InGaAs Photodiode Chip.
Otázka: Jaký je požadavek na konektor?Odpověď: Box Optronics může přizpůsobit podle vašich požadavků.
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - Čína moduly optických vláken, výrobci laserů s vlákny, dodavatelé laserových komponent Všechna práva vyhrazena.
